بررسی تاثیر تغییرات ضخامت و ثابت دی الکتریک عایق گیت در نسبت جریان روشن به خاموش ترانزیستورهای SB-CNTFET
Publish Year: 1393
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,006
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
NAEC02_011
Index date: 4 February 2015
بررسی تاثیر تغییرات ضخامت و ثابت دی الکتریک عایق گیت در نسبت جریان روشن به خاموش ترانزیستورهای SB-CNTFET abstract
در این مقاله ابتدا به بررسی و شبیه سازی ترانزیستورهای نانولوله کربنی با پیوند شاتکی پرداخته شده است و سپس تغییرات نسبت جریان روشن به خاموش این ترانزیستورها نسبت به تغییرات ضخامت عایق گیت و همچنین تغییرات نوع عایق گیت (ضرایب دی الکتریک متفاوت) بررسی و شبیه سازی شده است در شبیه سازی ها از یک نانولوله کربنی با اتصالات شاتکی سورس و درین و بردار کایرال (13.0) استفاده شده است. در انتها با استفاده نمودارها مشاهده خواهد شد که کاهش ضخامت عایق گیت سبب افزایش نسبت جریان روشن به خاموش خواهد شد همچنین استفاده از مواد با ضرایب دی الکتریک بالا نسبت نسبت جریان روشن به خاموش را افزایش داد.
بررسی تاثیر تغییرات ضخامت و ثابت دی الکتریک عایق گیت در نسبت جریان روشن به خاموش ترانزیستورهای SB-CNTFET Keywords:
بررسی تاثیر تغییرات ضخامت و ثابت دی الکتریک عایق گیت در نسبت جریان روشن به خاموش ترانزیستورهای SB-CNTFET authors
امین قاسمی نژاد رائینی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات سیرجان گروه مهندسی برق- الکترونیک سیرجان
مهران ابدالی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات سیرجان گروه مهندسی برق- الکترونیک سیرجان
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :