مهندسی ساختار ترانزیستور اثر میدانی با تونل زنی باند به باند مبتنی بر نانونوار گرافین

سهیل عباس زاده; رضا یوسفی; سید صالح قریشی

مهندسی ساختار ترانزیستور اثر میدانی با تونل زنی باند به باند مبتنی بر نانونوار گرافین

Publish place: The Second Conference on New Achievements in Electrical and Computer Engineering

Publish Year: 1393

نوع سند: مقاله کنفرانسی

زبان: Persian

This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download

دریافت فایل کامل Paper

Certificate
من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

https://civilica.com/doc/332156

شناسه ملی سند علمی:

NAEC02_025

تاریخ نمایه سازی: 15 بهمن 1393

Abstract:

در این مقاله ساختار اصلاح شده ای برای ترانزیستورهای اثر میدانی با تونل زنی باند به باند پیشنهاد شده است در این ساختار با ثابت نگه داشتن خصوصیات حالت روشن ترانزیستور به ویژه سوئینگ زیر آستانه جریان خاموشی و ambipolar آنرا کاهش دادیم بدین منظور از یک ساختار گیت دو ماده ای و آلایش سبک در بخشی از ناحیه درین استفاده نمودیم. شبیه سازی با استفاده از روال تابع گرین غیر تعادلی در حالت بالستیک انجام شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد جریان خاموشی و ambipolar بسیار کاهش یافته است ضمن اینکه خصوصیات حالت روشنایی تقریبا بدون تغییر باقی می ماند. همچنین خصوصیات سوئیچینگ ساختار پیشنهادی مانند تاخیر ذاتی حاصلضرب تاخیر در توان و نسبت جریان روشنایی به جریان خاموشی بهبود یافته است.

Keywords:

تابع گرین غیر تعادلی , ترانزیستور اثر میدانی , تونل زنی باند به باند , نانو نوار گرافن

Authors

سهیل عباس زاده

گروه مهندسی برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور

رضا یوسفی

گروه مهندسی برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور

سید صالح قریشی

گروه مهندسی برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :

Nanotubes", In-Tech Press, India, 2010. Carbonه [5] J.M. Marulanda, ...
Nanotube Electronics: Modeling, Physics, and Applications", Phd thesis, Purdue University, ...
K.S. Novoselov, A.K. Geim, et al, ،Electric Field Effect in ...
Y. Zhang, Y.W. Tan, H.L. Stormer, P. Kim, "Study on ...
C. Berger, Z. Song, X. Li, X. Wu, et al, ...
P. Avouris, Z.H. Chen, V. Perebeinos, Nat. "Carbon-based electronics", Nanotechnol, ...
M. Eazwa, "Peculiar widt dependence of the electronic properties of ...
Y.W. Son, M.L. Cohen, S.G. Louie, "Energy Gaps in Graphene ...
J. Guo, S. Datta, M. Lundstrom, ،A numerical study of ...
Y.M. Lin, J. Appenzeller, J. Knoch, P. Avouris, _ High-p ...
O. Siyuranga, S. Koswatta, D. Nikonov, M. Lundstrom, "Band-to-band tunneling ...
Y. Yoon, G. Fiori, S. Hong, et al, "Performance comparison ...
S.K. Chin, D. Seah, K.T. Lam, et al, "Device Physics ...
P. Zhao, J. Chauhan, J. Guo, _ Computational study of ...
A.A. Orouji, Z. Arefinia, ،Detailed simulation study of a dual ...
R. Yousefi, K. Saghafi, M.K. Moravvej -Farshi, "Numerical Study of ...
R. Yousefi, S.S. Ghoreyshi, Numerical Study of Ohm ic-Schottky Carbon ...
A. Naderi, P. Keshavarzi, A. Orouji, _ LD C-CNTFET : ...
J. Appenzeller et al, "Band-to-Band Tunneling in Carbon Nanotube Field-Effect ...
M.P. Anantram, M.S. Lundstrom, "Modeling of Nanoscale Devices", Proc. IEEE, ...
S. Datta, "Quantum Transport: Atom to Transistor", Cambridge University Press, ...
G.C. Liang, N. Neophytos, M. Lundstrom, D. Nikonov, "Ballistic graphene ...
P. Zhao, J. Guo, J. App. "Modeling edge effects in ...
J. Guo, S. Datta, M. Lundstrom, M.P. Anantram, "Toward Multiscale ...
J. Guo, A. Javey, H. Dai, M. Lundstrom, "Performance Analysis ...

نمایش کامل مراجع