بررسی تاثیر تغییرات دما و ضخامت عایق گیت درنسبت جریان روشن به خاموش ترانزیستورهای SB-CNTFET
Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 755
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
RDERI02_002
تاریخ نمایه سازی: 11 اردیبهشت 1394
Abstract:
دراین مقاله ابتدا به بررسی نانولوله های کربنی بااتصالات شاتکی سورس و درین خواهیم پرداخت و شبیه سازی ها به مدلی که اتصال فلز به نانولوله نیمه هادی می باشد محدود خواهد شد درشبیه سازی ها ابتدا نمودار ولتاژ گیت - جریان درین نسبت به تغییرات دما بررسی خواهد شد و همچنین نسبت جریان روشن به خاموش مدل ارایه شده نیز نسبت به تغییرات دما بررسی خواهد شدوسپس تغییرات نسبت جریان روشن به خاموش باتوجه به تغییر ضخامت عایق گیت بررسی خواهد شد و باتوجه به نتایج مشخص خواهد شد که باکاهش دما این نسبت کاهش خواهد داشت همچنین با کاهش ضخامت عایق گیت نسبت جریان روشن به خاموش بهبود خواهد یافت
Keywords:
Authors
امین قاسمی نژادرائینی
مجتمع معدنی و صنعتی گل گهرسیرجان سیرجان ایران
مهران ابدالی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات سیرجان گروه مهندسی برق الکترونیک سیرجان ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :