سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

آرشیتکت لایه های نازک در فناوری نانو

Publish Year: 1393
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 979

This Paper With 11 Page And PDF Format Ready To Download

Export:

Link to this Paper:

Document National Code:

CERAMIC02_030

Index date: 19 September 2015

آرشیتکت لایه های نازک در فناوری نانو abstract

لایه نشانی مایل (OAD) لایه های نازک به روش لایه نشانی تبخیر فیزیکی امکان تولید نانوساختارهای مختلف با ناهمسانگردی ساختاری را ایجاد کرده است. روش های OAD و Glancing angle deposition)GLAD) یعنی با تغییر زاویه تابش α و زاویه سمتی ϕ همراه با چرخش زیر لایه می توانند نانوساختارهایی با شکل های مختلف مانند مارپیچی، زیگزاگ، s شکل و شکل های دیگر تولید کنند. ساختارهای نانومجسمه سازی شده با این روش ها، کاربردهای زیادی در فیلترهای نوری، بلورهای نوری، کاتالیست ها، ذخیره مغناطیسی داده ها، میکروباتریها و میکروکانالها دارد. در این مقاله برای شبیه سازی نمونه های ساخته از روشی بنام تقریب دوقطبی مجزا استفاده شده است. در این روش نمونه را به صورت N دو قطبی نقطه ای که فاصله بین دوقطبی ها نسبت به طول موج بسیار کوچک باشد در نظر می گیریم. هر دوقطبی دارای قطبش نوسانی است که ناشی از موج تخت تابشی و میدانهای الکتریکی ناشی از دوقطبی های دیگر است و می توان جذب و پراکندگی را بر اساس معادلات الکترودینامیک کلاسیک و با توجه به اندرکنش های میدان الکتریکی تابشی و دوقطبی های دیگر به دست آورد. در این مقاله تصمیم داریم تا با روش تقریب دوقطبی مجزا هندسه نانوساختارهایی که توسط روش OAD و GLAD ساخته می شوند را شبیه سازی کنیم چون یکی از عوامل مهم که باعث تغییر ویژگی های الکتریکی و اپتیکی این نانوساختارها می شود هندسه آنها است. سپس نمونه های شبیه سازی شده را با تصاویر SEM نمونه های ساخته شده مقایسه می کنیم.

آرشیتکت لایه های نازک در فناوری نانو Keywords:

آرشیتکت لایه های نازک در فناوری نانو authors

مهسا فخارپور

دانشگاه آزاد اسلامی واحد میبد، گروه علوم پایه

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
D. M. Mattox, The foundations of vacuum coating techno logy.Noyes ...
.J.M. N ieuwenhuizen, H.B. Haanstra, Philips Tech. Rev. 27 (1966) ...
A. Lakhtakia and R. Messier, Sculptured thin films, nanometer structures ...
Q. Wu, I... Hodgkinson, A. Lakhtakia, Opt. Eng. 39 (20 ...
_ S. Kennedy, M.J. Brett, H. Miguez, O. Toader, S. ...
B. Dick, M.J. Brett, T.J. Smy, M.R. Freeman, M. Malac, ...
M.D. Fleischauer, J. Li, M.J. Brett, J. Electrochem. Soc. 156 ...
J. Wang, H. Huang, S.V. Kesapragada, D. Gall, Nano Let. ...
B. T. Draine and P. J. Flatau. J. Opt. Soc. ...
K. Robbie, M. J. Brett, A. Lakhtakia, Nature 1996, 384, ...
Q. Wu, I. J. Hodgkinson, A. Lakhtakia, Opt. Eng. 2000, ...
L. De Silva, I. Hodgkinson, P. Murray, Q. Wu, M. ...
J. Steele, M. Brett, J. Mater. Sci. Mater. Electron. 18 ...
M. Schubert, J. Xi, J. Kim et al., Appl. Phys. ...
T. Karabacak, G.-C. Wang, T.-M. Lu, J. Appl. Phys. 94 ...
H. Alouach, G.J. Mankey, J. Vac. Sci. Technol. A 2f ...
M.O. Jensen, M.J. Brett, IEEE Trans. Nanotech. 4 (2005) 269. ...
Y. Takeda, T. Motohiro, T. Hioki et al., J. Vac. ...
Y. Watanabe, S. Hyodo, T. Motohiro et al., Thin Solid ...
S. Keitoku, K. Nishioka, Jpn. J. Phys. 20 (1981) 1249. ...
F. Babaei, H. Savaloni, Opt. Commun. 278 (20 07) 221. ...
R. Messier, T. Gehrke, C. Frankel, V.C. Venugopal, W. Otan ...
A.C. Van Popta, M.. Brett, J.C. Sit, J. Appl. Phys. ...
R. Messier, V.C. Venugopal, P.D. Sunal, J. Vac. Sci. Technol. ...
Y. P. Zhao, D. X. Ye, G. C. Wang, T. ...
K. Robbie, M.J. Brett, Nature (London) 384 (1996) 616. ...
K. Robbie, M.J. Brett, J. Vac. Sci. Technol. A 15 ...
B. Dick, M.J. Brett, T. Smy, J. Vac. Sci. Technol. ...
S.V. Kesapragada, P. Victor, O. Nalamasu, D. Gall, Nano Let. ...
M.A. Summers, M.J. Brett, Nanotechno logy 19 (20 08) 415203. ...
Q. Wu, I... Hodgkinson, A. Lakhtakia, Opt. Eng. 39 (20 ...
S.V. Kesapragada, D. Gall, Appl. Phys. Lett. 89 (20 06) ...
S. Kesapragada, D. Gall, Thin Solid Films 494 (20 06) ...
Y. He, Y. Zhao, J. Wu, Appl. Phys. Lett. 92 ...
X. Su, M. Li, Z. Zhou et al., J. Lumin. ...
K. Krause, M. Brett, Adv. Funct. Mater. 18 (20 08) ...
F. Babaei, H. Savaloni, Opt. Commun. 278 (20 07) 221. ...
نمایش کامل مراجع

مقاله فارسی "آرشیتکت لایه های نازک در فناوری نانو" توسط مهسا فخارپور، دانشگاه آزاد اسلامی واحد میبد، گروه علوم پایه نوشته شده و در سال 1393 پس از تایید کمیته علمی دومین همایش ملی سرامیک ایران پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله نانوساختارها، تقریب دوقطبی مجزا، لایه نشانی، فرایند GLAD هستند. این مقاله در تاریخ 28 شهریور 1394 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 979 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که لایه نشانی مایل (OAD) لایه های نازک به روش لایه نشانی تبخیر فیزیکی امکان تولید نانوساختارهای مختلف با ناهمسانگردی ساختاری را ایجاد کرده است. روش های OAD و Glancing angle deposition)GLAD) یعنی با تغییر زاویه تابش α و زاویه سمتی ϕ همراه با چرخش زیر لایه می توانند نانوساختارهایی با شکل های مختلف مانند مارپیچی، زیگزاگ، s شکل و شکل ... . برای دانلود فایل کامل مقاله آرشیتکت لایه های نازک در فناوری نانو با 11 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.