استفاده از InGaAs به عنوان کانال در HEMT برای کاربردهای فرکانس بالا
Publish place: The Second National Conference on Applied Research in Electrical, Mechanical and Mechatronics
Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,188
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF02_050
تاریخ نمایه سازی: 22 مهر 1394
Abstract:
رشد تکنولوژی نیاز به انتقال هرچه سریعتر اطلاعات را بیشتر جلوه میدهد. اگرچه در دنیای کنونی پیشرفتهایی در ارسال اطلاعات حاصل شده است، ولی نیاز و تقاضای کنونی نیازمند افزاره های با عملکرد سریعتر میباشد. ترانزیستورهای با قابلیت حرکت الکترون بالا 3 افزاره های الکتریکی مهمی برای ادوات الکترونیکی سرعت بالا به شمار می آیند. در این مقاله ساختاری از ترانزیستور HEMT پیشنهاد شده که از InGaAs به عنوان کانال استفاده شده است. همچنین سعی شده تا اثر تغییراتی شامل: گیت فرو رفته، گیت T شکل، تغییر طول کانال و تغییر چگالی ناخالصی لایه ی هسته ساز بر روی عملکرد افزاره، همچون فرکانس قطع، هدایت الکتریکی و جریان اشباع بررسی شود.
Keywords:
Authors
مرضیه طهماسبی
فارغ التحصیل کارشناسی ارشد مهندسی برق گرایش الکترونیک از دانشگاه صنعتی شریف -
رضا سروری
استادیار دانشگاه صنعتی شریف، گروه ادوات میکرو نانو الکترونیک
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :