بدست آوردن و مدلسازی پارامترهای پنل فوتوولتائیک
Publish place: National Conference of Technology, Energy & Data on Electrical & Computer Engineering
Publish Year: 1394
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 721
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
TEDECE01_351
Index date: 21 November 2015
بدست آوردن و مدلسازی پارامترهای پنل فوتوولتائیک abstract
این مقاله یک روش برای مدل سازی و شبیه سازی آرایه های فوتوولتائیک ارائه می دهد. هدف اصلی یافتن پارامترهای معادله غیرخطی I-V به وسیله تنظیم منحنی در سه نقطه اتصال کوتاه، ماکزیمم توان و مدار باز است . این سه نقطه توسط دیتاشیتها ی تجاری ارایه فراهم شده اند . این روش بهترین معادله I-V برای یک مدل وفوتوولتائیک PV تک دیوده که شامل اثر مقاوم های سری و موازی است را می یابد و تضمین می کند که ماکزیمم توان مدل با ماکزیمم توان آرایه واقعی مطابقت دارد . با پارامترهای معادله I-V تنظیم شده می توان یک مدل مداری PV ، با هر شبیه ساز مداری که قادر به اجرای توابع ریاضی باشد، ساخت . این روش مدل سازی شده و مدل مداری پیشنهادشده برای طراحان توان الکتریکی که به یک روش مدلسازی دقیق، سریع و آسان برای استفاده مدر شبیه سازی سیستم های PV نیاز دارند، مفید است . خواننده اطلاعات در مورد قطعات PV و پارامترهای مدل PV تک دیوده می یابد. سپس شبیه سازی و اثبات درستی مدل باداده های تجربی آرا یههای PV تجاری آورده شده است
بدست آوردن و مدلسازی پارامترهای پنل فوتوولتائیک Keywords:
بدست آوردن و مدلسازی پارامترهای پنل فوتوولتائیک authors
محمدصادق عسکری
آموزش و پرورش استان فارس
مجید دهقانی
استادیار گروه برق -دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد
منصوره مهدوی
دانشگاه آزاد اسلامی واحداقلید
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :