شبیه سازی ترانزیستور اثر میدانی نانوسیم سیلیکنی تونلی با گیت فراگیر و تحلیل آن
Publish place: 1404 National Conference on Vision and Technological Advances in Engineering Sciences
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 805
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
TAES01_030
تاریخ نمایه سازی: 1 آذر 1394
Abstract:
در این مقاله مطالعاتی بر روی ترانزیستور اثر میدانی نانوسیم سیلیکنی تونلی با گیت فراگیر انجام شده است. ابتدا منحنی جربان درین سورس بر حسب ولتاژ گیت سورس ترانزیستور اثر میدانی نانوسیم سیلیکنی تونلی به ازای مقادیر مختلف دما بدست آمده است که برای انجام این کار از روش NEGF یا تابع غیر تعادلی گرین استفاده کرده ایم. سپس تغییر قطر کانال نانوسیم به عنوان راهکاری برای بهبود کارایی ترانزیستور مورد نظر ارائه می شود. با تحلیل نتایج بدست آمده خواهیم دید که هر چقدر قطر کانال ترانزیستور اثر میدانی نانوسیم تونلی کاهش یابد، سرعت کلیدزنی آن افزایش خواهد یافت.
Keywords:
Authors
راشین آب بند پاشاکی
گروه مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد رشت، رشت، ایران
سید علی صدیق ضیابری
گروه مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد رشت، رشت، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :