مدلسازی خطای تک الکترونی در گیت اکثریت اتوماتای سلولی کوانتومی
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 685
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
EMAA02_198
تاریخ نمایه سازی: 8 آذر 1394
Abstract:
در هر فناوری، بروز نقصهایی حین ساخت، از جمله موارد گریز ناپذیر در ساخت مدارهای الکترونیکی است. به دلیل ماهیت نقصپذیر فناوری نانو، توجه ویژه به این مساله در مرحله طراحی مدارها ضروری است. فناوری اتوماتای سلولیکوانتومی نیز مانند سایر فناوریهای نانو الکترونیک، به شدت در معرض نقصهای اجتناب ناپذیر حین ساخت قرار دارد گزارش شده است. با توجه به CMOS و احتمال بروز نقص در این فناوری در حدود صد هزار برابر فناوری ساخت درپیشبینی نرخ خرابی بالا در مرحله ساخت این فناوری، انتظار بر این است که در مرحله طراحی، با مدلسازی نقصهای اجتناب ناپذیر حین ساخت، راهکارهایی جهت کاهش تاثیر آن نقصها بر عملکرد مدار ارائه شود. در این مقاله مدلسازی خطای تک الکترونی در گیت اکثریت اتوماتای سلولی کوانتومی ارائه میگردد
Keywords:
Authors
مژده مهدوی
گروه الکترونیک، واحد شهر قدس، دانشگاه آزاد اسلامی شهر قدس، ایران
محمدامین امیری
دانشکده الکترونیک، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، تهران، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :