نقش تغییرات حرارتی بر عملکرد ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله کربنی در دو ساختار n-i-nوp-i-n در محدوده بالستیک

ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی، به عنوان جایگزینی شناخته شده برای ترانزیستورهای سیلیکونی، در سال های اخیر به شدت مورد توجه پژوهشگران و مراکز معتبر علمی بوده اند .در نتیجه، بررسی عملکرد آنها و وابستگی آن به پارامترهای افزاره همواره یکی از زمینه های مورد توجه بوده است .در این مقاله برای اولین بار تأثیر دمای محیط، بر عملکرد افزاره در قطرهای متفاوت برای دو ساختار p-i-n و n-i-n در محدوده انتقال بالستیک بررسی میشود .نتایج شبیه سازی نشان میدهد که افزایش دمای محیط و قطر نانولوله، هر دو، سویینگ زیرآستانه را به شدت خراب خواهند کرد و باعث افزایش جریان نشتی خواهند شد؛ با افزایش دما در هر دو ساختار ترارسانایی افزاره تا حدودی کاهش مییابد؛ اما هدایت خروجی با افزایش قطر نانولوله بهبود خواهد یافت؛ با این وجود در ساختار p-i-n ، ترارسانایی بهبود نشان میدهد .مهمترین نکته استفاده از ترانزیستور p-i-n شیب زیرآستانه بهتر نسبت به ساختار n-i-n در بازه دمایی بیشتر است که آن را برای ساخت مدارات منطقی با مصرف توان ایستای کمتر مناسب میسازد

Keywords:

ترانزیستوراثرمیدانی , دما , عملکردافزاره , قطر , نانولوله کربن