تحلیل وطراحی مرجع ولتاژ شکاف انرژی CMOS باجبرانسازی منحنی
Publish place: International Conference on New Research Findings in Electrical Engineering and Computer Science
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 698
This Paper With 21 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
COMCONF01_421
تاریخ نمایه سازی: 8 آذر 1394
Abstract:
مدارمرجع ولتاژ CMOS باجبران سازی منحنی مرتبه بالا ازدما دراین مقاله پیشنهاد شدها ست ساختارمدار فقط ازترانزیستور های CMOS که غالبا درناحیه زیراستانه بایاس شده اند تشکیل شده است و فاقد مقاومت و ترانزیستورهای BJT است
Keywords:
Authors
ابراهیم فرشیدی
دانشیارعضو هیئت علمی گروه برق دانشکده مهندسی دانشگاه شهیدچمران اهواز
عادل بغلانی
کارشناسی ارشدالکترونیک دانشگاه شهیدچمران اهواز
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :