مدلسازی اثر انتقال حامل با استفاده از معادلات نرخ در وکسل با ساختار چاه کوانتمی
Publish place: International Conference on New Research Findings in Electrical Engineering and Computer Science
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 454
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
COMCONF01_747
تاریخ نمایه سازی: 8 آذر 1394
Abstract:
در این مقاله، ما اثر انتقال حاملها در ساختار چاه کوانتمی ناحیه فعال یک وکسل AlGaAs/GaAs را مدلسازی میکنیم. باحل عددی معادلات نرخ، چگالی فوتونها و تراکم حاملها را در لایههای چاه کوانتمی ولایهی SCH را محاسبه و اثر پارامترهای مختلف را بر مشخصات استاتیک و دینامیک لیزر را بررسی میکنیم
Keywords:
Authors
بهجت خادمی
دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک،دانشکده برق،دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد
محمدرضا شایسته
هیات علمی ،دانشکده برق ،دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :