سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

بررسی تکنیکهای Bulk-driven و DTMOS در طراحی مدارات تقویت کننده های عملیاتی ولتاژ و توان پایین

Publish Year: 1394
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,446

This Paper With 11 Page And PDF Format Ready To Download

Export:

Link to this Paper:

Document National Code:

COMCONF01_837

Index date: 29 November 2015

بررسی تکنیکهای Bulk-driven و DTMOS در طراحی مدارات تقویت کننده های عملیاتی ولتاژ و توان پایین abstract

در این مقاله به بررسی تکنیکهای Dynamic Threshold voltage MOSFET (DTMOS) وBulk-Driven به منظور طراحی مدارات مجتمع آنالوگ ولتاژ و توان پایین پرداخته شده است. دو تکنیک ارائه شده برایطراحی تقویت کننده عملیاتی ولتاژ و توان پایین در ناحیه زیر آستانه جهت کاربردهای پزشکی با ولتاژ کاری 4.0 ولت مورد استفاده قرار گرفته است. تقویت کننده عملیاتی در تکنولوی TSMC 0.18μm CMOS طراحی و شبیه سازیشده است. با استفاده از تکنیک DTMOS بهره حلقه باز 26.66 دسیبل، پهنای باند بهره واحد 2.6 کیلوهرتز، حاشیه فاز 56.8 درجه و توان مصرفی 96.3 نانو وات می باشد و با استفاده از تکنیک Bulk-driven بهره حلقه باز 05.5 دسی-بل، پهنای باند بهره واحد 5.8 کیلوهرتز و حاشیه فاز 25.8 درجه و توان مصرفی 96.3 نانو وات می باشد. نتایج حاصل ازشبیه سازی بیانگر این است که تکنیک DTMOS دارای بهره و پهنای باند بالاتری می باشد

بررسی تکنیکهای Bulk-driven و DTMOS در طراحی مدارات تقویت کننده های عملیاتی ولتاژ و توان پایین Keywords:

بررسی تکنیکهای Bulk-driven و DTMOS در طراحی مدارات تقویت کننده های عملیاتی ولتاژ و توان پایین authors

هادی طاهرزاده

دانشگاه آزاد اسلامی واحد بندرعباس ، گروه مهندسی برق، بندرعباس، ایران،

علی تجویدی

دانشگاه آزاد اسلامی واحد بندرعباس ، گروه مهندسی برق، بندرعباس، ایران،

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
suadet, A. Thongleam, T. Kanjanop, A. Singhanath, P. Hirunsing, B. ...
Assaderaghi, F. Sinitsky, D. Parke, S. Bokor, J. Ko, P. ...
_ Assaderaghi, F. D. Sinitsky, S. Parke, J. Bokor, P.K. ...
Assaderaghi, F. "DTMOS: Its derivatives and variations, and their potential ...
Torsten Lehmann and Marco Cassia, "1-V power supply CMOS cascode ...
Cassia, _ Power/Low Voltage Techniques for Analog CMOS Circuits, " ...
Achigui, H.F. Fayomi, C.J.B. M. Sawan _ DTMOS-based 1 V ...
Achigui, H.F. Fayomi, C.J.B. M. Sawan :0A 1 V Low-Power ...
Achigui, H.F. C.J.B. Fayomi, and M. Sawan, :1 V DTMOS ...
Achigui, H.F. M. Sawan, C.J.B. Fayomi, :A 1 V Fully ...
Kargaran, E. Sawan, M. Mafinezhad, Kh. H. Nabovati, "Design of ...
Zhi Yuan Li, Ming Yan Yu, Jian Guo Ma, ":A ...
Razzaghpour, M. Golmakani, A. _ Ultra- Low-Voltage Ultra-Low -Power OTA ...
Novel A؛ه 14.Sheng-Wen Pan, Chiung-Cheng Chuang, Chung-Huang Yang, Yu-Sheng Lai, ...
Sbaraini, S. A. Richelli and Zs.M. Kovacs-Vajna, _ susceptibility in ...
Lehmann, T. and M. Cassia, "1 V OTA using curret ...
7 _ Hwang- Cherng Chow, and Pu-Nan Weng, _ Low ...
Sarbishaei, H. T.K. Toosi, E.Z. Tabasy, and R. Lotfi, "A ...
Razavi, B. Design of Analog CMOS Integrated Circuits. New York, ...
Voldman, S. D. Hui, D. Young, R. Williams, D. Dreps, ...
Wong, L. and G. Rigby, "A 1 V CMOS digital ...
Guzinski, A. M. Bialko, and J. C. Matheau, "Body-Driven Differential ...
Zuo, Liang, "Low-Voltage Bulk-Driven Amplifier Design and Its Application in ...
Ardalan, S. K. Raahemifar, F. Yuan, _ Voltage, Low Power ...
Luis H. C. Ferreira, T. C. Pimenta and R. L. ...
Wattanap anitch, W. _ Ultra- Low-Power Neural Recording Amplifier And ...
Harrison, R.R. :MOSFET Operation in Weak and Moderate Inversion, " ...
نمایش کامل مراجع

مقاله فارسی "بررسی تکنیکهای Bulk-driven و DTMOS در طراحی مدارات تقویت کننده های عملیاتی ولتاژ و توان پایین" توسط هادی طاهرزاده، دانشگاه آزاد اسلامی واحد بندرعباس ، گروه مهندسی برق، بندرعباس، ایران،؛ علی تجویدی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد بندرعباس ، گروه مهندسی برق، بندرعباس، ایران، نوشته شده و در سال 1394 پس از تایید کمیته علمی کنفرانس بین المللی یافته های نوین پژوهشی درمهندسی برق و علوم کامپیوتر پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله bulk-driven ، DTMOS ، کم توان، کم ولتاژ، آپ امپ، زیر آستانه هستند. این مقاله در تاریخ 8 آذر 1394 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 1446 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که در این مقاله به بررسی تکنیکهای Dynamic Threshold voltage MOSFET (DTMOS) وBulk-Driven به منظور طراحی مدارات مجتمع آنالوگ ولتاژ و توان پایین پرداخته شده است. دو تکنیک ارائه شده برایطراحی تقویت کننده عملیاتی ولتاژ و توان پایین در ناحیه زیر آستانه جهت کاربردهای پزشکی با ولتاژ کاری 4.0 ولت مورد استفاده قرار گرفته است. تقویت کننده عملیاتی در تکنولوی TSMC ... . برای دانلود فایل کامل مقاله بررسی تکنیکهای Bulk-driven و DTMOS در طراحی مدارات تقویت کننده های عملیاتی ولتاژ و توان پایین با 11 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.