طراحی وشبیه سازی لچ SR به کمک ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی برنانو لوله های کربنی
Publish place: International Conference on New Research Findings in Electrical Engineering and Computer Science
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 599
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
COMCONF01_843
تاریخ نمایه سازی: 8 آذر 1394
Abstract:
مطالعات انجام شده در زمینه طراحی مدارهای مجتمع آنالوگ و دیجیتال نشان می دهدکه استفاده ازترانزیستورهای نانو لوله کربنی تاثیر بسزایی درافزایش سرعت ،کاهش زمان تاخیر و توان مصرفی دارد. دراین مقاله نیز یک لچ SR ، با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانولوله های کربنی طراحی و شبیه سازی شده و نتایج شبیه سازی آن با نتایج لچ SR طراحی شده با ترانزیستور های اثر میدانی سیلیکونی مقایسه شده است. در این مقاله همچنینسعی شده که با تغییر پارامترهای ترانزیستورهای نانو لوله کربنی به بهترین جواب از نظر سرعت و توان مصرفی دست یابیم.
Keywords:
Authors
مائده بهرامی
دانشجوی دکتری دانشگاه آزاد یزد
محمدجعفر تقی زاده
استادیار گروه برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد مهریز
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :