معرفی ساختار IGBT
Publish place: The Second National Conference on Mathematics and its Applications in Engineering Sciences
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 2,011
This Paper With 12 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
REGCMAES02_058
تاریخ نمایه سازی: 30 دی 1394
Abstract:
IGBT به عنوان یک ترانزیستور با قابلیت هدایت در ناحیه جریان – ولتاز بالا و همچنین افت ولتاژ مستقیم متوسط (در حدود 8/1 ولت) قطعه ایده آلی باری بکارگیری در شکبه توزیع محسوب می شود. در کل، ساختار IGBT مشابه تریستورها، متشکل از دو ترانزیستور دو قطبی PNO، NPN و یک MOSFET با گیت عایق شده است. قابلیت تطبیق انواع تجهیزات حفاظتی در مدار اره اندازی گیت IGBT ها یکی دیگر از مزایای آنها به شمار می رود. این مقاله بررسی جامعی از ساختار IGBT را مورد تحقیق قرار داده است. در این مقاله ابتدا چارچوب و خصوصیات IGBT را توصیف می کنیم. اهمیت اصلی مقاله معرفی ویژگی های IGBT و در نهایت معایب و مزیای آن بیان می شود.
Keywords:
Authors
مرتضی رحیمی سلکویه
کارشناسی ارشد، گروه برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد لاهیجان
میرمنصور ضیابری
استادیار، گروه برق، دانشگاه گیلان
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :