مزایای استفاده از GaN و AlN در طراحی ترانزیستور HEMT
Publish place: 2nd Conference on Innovation in Electrical Engineering
Publish Year: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 3,046
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCNIEE02_043
تاریخ نمایه سازی: 29 بهمن 1392
Abstract:
در زندگی امروزه نیمه هادی ها کاربرد فراوانی دارند. به همین دلیل تقاضای کاربردهایی با پهنای باند بالا بسیار افزایش یافته است. ازاین رو نیمه هادی های با گاف انرژی بالا جهت کاربردهای الکترونیکی با توان بالا بسیار مورد توجه طراحان قرار گرفته است. از جمله ی اینکاربردها می توان به حیطه ی الکترونیک – توان و فرستنده های مایکروویوی برای ارتباطات از راه دور و رادار اشاره کرد. به نظر می رسد (گالیوم نیتریدGaNترانزیستوری با تحرک الکترونی بالاHEMT’s) دارای ساختاری چند لایه از نیمه هادی های مرکب است و انتخاب بسیار موفقی برای کاربرد های پر قدرت، دما بالا و فرکانس بالا هستند و به دلیل داشتن گاف انرژی بالا در تکنولوژی وسایل و مواد می تواند نوید بخش باشد در این نوشتار شبیه سازی ترانزیستورAlGaN/GaN HEMTبا استفاده از نرم افزارSilvacoبرای مقادیر مختلف ولتاژ و جریان آورده شده است.
Keywords:
Authors
سمانه پناهی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات، گروه برق و الکترونیک، خمین، ایران
کریم عباسیان
دانشگاه تبریز، دانشکده فناوری نوین، گروه برق و الکترونیک
غلامرضا کیانی
دانشگاه تبریز، دانشکده فناوری نوین، گروه برق و الکترونیک
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :