طراحی تقویت کننده کم نویز فوق پهن باند با بهره بالا و توان مصرفی کم در تکنولوژی 81.0μm CMOS
Publish place: International Conference on Science and Engineering
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 827
This Paper With 11 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICESCON01_0346
تاریخ نمایه سازی: 25 بهمن 1394
Abstract:
این مقاله ساختار جدیدی از یک تقویت کننده کم نویز فوق پهن باند با بهره بالا و توان مصرفی کم در باند فرکانسی GHZ 9/2 21/6 که با تکنولوژی - TSMC1/20μm شبیه سازی شده است را شرح می دهد. در این مقاله فیدبک موازی مقاومتیبرای دستیابی به تطبیق ورودی پهن باند پیشنهاد شده است و یک سلف در طبقه میانی راهکار جدیدی برای افزایش بهره ارائه می دهد. نتایج شبیه سازی این مدار ماکزیمم بهره dB 21 ،تطبیق امپدانس ورودی کمتر از dB 21 ،مینیمم عدد نویز - dB 7/4 را نشان می دهد.تقویت کننده کم نویز پیشنهادی mw 6/3 توان به ازای منبع تغذیه v 2/0 مصرف می کند
Keywords:
Authors
میثم عظیمی روئین
دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی پردیس علوم و تحقیقات خراسان شمالی
عباس گلمکانی
استادیار دانشگاه صنعتی سجاد
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :