طراحی ترانزیستورنانو وایرسیلیکانی با نسبت جریان روشن به خاموش بهینه
Publish place: 2st National Conference on Development of Civil Engineering, Architecure,Electricity and Mechanical in Iran
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 400
This Paper With 14 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
DCEAEM02_070
تاریخ نمایه سازی: 30 بهمن 1394
Abstract:
ترانزیستورهای نانووایرسیلیکانیمی توانند با قطری درحدود چندنانومتر و باشکلهای استوانه ای مستطیلی و یامثلثی تولید شوند این ترانزیستورها میتوانند بعنوان بلوکهای اصلی برای قطعات نانو الکترونیک مانند ترانزیستورهای اثرمیدان مورداستفاده قراربگیرند دراین مقاله عملکرد ساختارترانزیستورSi NWFET وبررسی تاثیر پارامترهای ساختار برنسبت جریان روشن به خاموش ازجمله ضخامت لایه ی اکسید ضخامت لایه ی نانووایر میزان ناخالصی و تعدادنانووایرها فاصله نانووایرها و غیره بااستفاده ازنرم افزار سیلواکو می پردازیم و یک ساختار با نسبت جریان روشن به خاموش بهینه برای Si NWFET ارایه میکنیم مدلسازی و درنهایت ساختارپیشنهادی ازلحاظ ابعادوپارامترهای فیزیکی بهینه سازی خواهد شد
Keywords:
Authors
محمدامین ناصری
گروه برق و الکترونیک واحد یزد دانشگاه آزاد اسلامی یزد ایران
محمدرضا شایسته
گروه برق و الکترونیک واحد یزد دانشگاه آزاد اسلامی یزد ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :