ارائه یک مدل مداری برای آنالیز نویز ضربه ای در آشکار ساز نوری بهمنی

Publish Year: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 520

This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

ICEES01_197

تاریخ نمایه سازی: 16 اسفند 1394

Abstract:

دراین مقاله یک الگوی مداری مبتنی بر معادلات نرخ برای تحلیل آشکارساز نوری بهمنی (p-i-n) با احتساب اثر نویزضربه ای و جریان تاریک ارائه شده است. مزیت روش مدلسازی مداری نسبت به روشهای دیگر در قابلیت پیش گویی آن است. در مدلسازی مداری، ساز و کارهای درون افزاره به المانهای الکتریکی نسبت داده می شود. به عبارت دیگر با تغییرر عوامل موثر برنویز ، می توان تغییر المانهای الکتریکی را با توجیه فیزیکی بیان کرد. در این مقاله مدار معادلی برای نویز بدست آمده است که رفتار نویز را با تقریب قابل قبولی پیش بینی می کند

Authors

سجاد پاکپور لیجاهی

دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد اسلامشهر

حسین رضایوسف وند

استادیار گروه الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد اسلامشهر، تهران

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • H.s. Nalwa, Photodetectos and Fiber Optics, Academic [1] press, 2001. ...
  • Pallab Bhattacharya , _ Semiconductor Optoelectronic ...
  • Devices _ , Prentice _ Hall Of India , 2003 ...
  • W. Chen And Sh. Liu _ _ PIN Avalanche Photodiodes ...
  • Model For Circuit Simulation " , IEEE J. Of Quantum ...
  • Saeed Olyaee, Mahdieh Izadpanah, and Atefeh Najibi, ...
  • " Analysis and Modeling of Avalanche Photodiode Using Transfer Matri ...
  • N. Susa, H. Ando, And H. Kanbe, _ Characteristics in ...
  • InGaAs/InP Avalanche Photodiodes Wit Separated Absorption And Multiplication Regions " ...
  • Nabavi _ _ Transient And Frequency Analys Of PIN ...
  • Avalanche Photodetector Using Circuit Model" , IEEE, 15-17, Sep. 2005. ...
  • M. Soroosh, and A. Zarifkar " Circuit Modeling of ...
  • Separate Absorption, Charge and Multiplication Avalanche Photodiode (SACM-APD), IEEE Laser&c ...
  • M. Achouche, G. Glastre, C. Caillaud, M. Lahrichi, M. _ ...
  • ndence of Electrical Field and Photoresponse on Multipli- cation Region ...
  • M. Soroosh, M. K. Moravvej -Farshi, A. Zarifkar, ...
  • _ Equivalent Circuit Model of Noise for a Separate Absoption ...
  • نمایش کامل مراجع