تحلیل نقص در کریستالهای فوتونیکی یک بعدی و استفاده در کریستالهای مایع
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 565
This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
LPPS01_047
تاریخ نمایه سازی: 19 اردیبهشت 1395
Abstract:
کریستالهای فوتونیکی مواد دی الکتریک مصنوعی با ضریب شکست تناوبی هستند که ویژگی های الکترومغناطیسی جدید و بدیعی دارند این بلورها نشان داده اند که نتیجه پراکندگی براگ در یک ساختار دی الکتریک متناوب پاسخی به شکل گاف باند فوتونیکی است این گاف ها از حضور فوتون ها در یک دامنه انرژی معین و مشخصی جلوگیری به عمل می آورند وقتی تناوب شبکه با وارد کردن یک عیب یا نقص به درون بلور فوتونیکی شکسته می شود یک مد نقص جایگزیده در محدوده گاف نواری فوتونیکی ظاهر و نمایان می شود که منجر به تغییر و تحول در رفتار تداخلی نور می شود این تغییرات با ماهیت و نوع نقص تعیین و مشخص می شود
Keywords:
Authors
میثم کشیری
باشگاه پژوهشگران جوان و نخبگان واحد علی آباد کتول دانشگاه آزاد اسلامی علی آباد کتول ایران
سمیه سرگزی
باشگاه پژوهشگران جوان و نخبگان واحد علی آباد کتول دانشگاه آزاد اسلامی علی آباد کتول ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :