وابستگی دمایی اثر کاهش سد پتانسیل به وسیله درین در افزاره های CNT-FET
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 594
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCAEC01_018
تاریخ نمایه سازی: 19 اردیبهشت 1395
Abstract:
پس از کشف نانو لوله ها پیشرفت های چشم گیری از نظر مدل سازی فیزیکی و تکنولوژیکی در زمینه ترانزیستور های اثرمیدانی نانو لوله کربنی (cntfet) صورت گرفته است.در این مقاله ما به تاثیر گذاری دما بر روی افزاره هایی که از نانو لوله کربنی (cntfet) به عنوان کانال استفاده میکنند خواهیم پرداخت. تاکید ما بر اثر گذاری دما بر روی کاهش سد پتانسیل توسط درین (DIBL) که یکی از پارامتر های تعیین کننده در ترانزیستور هایی که از کانال کوتاه استفاده میکنند خواهد بود. در این مقاله همچنین به تاثیر گذاری بردار کالیرایتی بر روی دما و به دنبال ان تاثیر بر روی کاهش سد پتانسیل توسط درین پرداخته خواهد شد.
Keywords:
Authors
محسن پرستارمیشامندانی
دانشگاه آزاد اسلامی- واحد رشت
محمد کاظم انوری فرد
عضو هیات علمی گروه برق دانشگاه آزاد اسلامی- واحد لاهیجان
حسن مسلمی
عضو هیات علمی گروه برق مجتمع آموزش عالی فنی و مهندسی اسفراین
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :