بررسی تاثیر ناخالصی لیتیم بر روی خواص آشکارساز نوری ZnO/n-Si

نانو سیم های اکسید روی خالص و آلاییده شده با لیتیم به منظور حصول نوع p نانو ساختارهای اکسید روی مورد تحقیق قرار گرفته است. روش رشد نانو ساختارها یک روش انتقال بخارات فیزیکی (PVD) در یک کوره افقی بوده است. در روش اول از پودر اکسید روی و هیدروکسید لیتیم به عنوان مواد اولیه برای رشد و آلایش نانو ساختارها استفاده شد. پس از رشد نانو ساختارها، نمونه های بدست آمده توسط دستگاه های شناسایی مختلفی مانند میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) و الگوی پراش اشعه ایکس (XRD) و فوتولمینسانس (PL) مورد مطالعه قرار گرفتند. تصاویر SEM نشان داد که ریخت نانو ساختارهای بدست آمده، نانو سیم می باشد. علاوه بر آن الگوهای حاصل از XRD به خوبی بیانگر آنست که ساختارهای بدست آمده در فاز شش گوش وورتسایت میباشند و عاری از هرگونه ناخالصی هستند. نتایج PL به طور ضمنی نشان دادند که نانوسیم های آلاییده شده رفتار نیمه رسانایی نوع p دارند. در طی بررسی خاصیت رسانایی نوری افزاره ی Au/Li–ZnO/n-Si/Au، مشخص گردید که با افزودن ناخالصی لیتیم، نسبت Ion/Ioff افزاره افزایش می یابد. اندازه گیری جریان نوری در حالت گذرا نیز بیانگر آنست که جریان در معرض روشنایی بسیار بیشتر از جریان در حالت تاریکی است و با افزایش شدت روشنایی، جریان نیز افزایش می یابد.

Keywords:

نانو سیم های اکسید روی نوع p , آلاییده با لیتیم , خواص نوری , انتقال بخارات فیزیکی