طراحی و شبیه سازی ضرب کننده آنالوگ ولتاژCMOS در تکنولوژی 180nm با توان و ولتاژ مصرفی پایین و فرکانس بالا با کاربرد دوبرابرکننده فرکانسی
Publish place: 18th Conference on Electrical Engineering OF Iranian Student
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 478
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE18_193
تاریخ نمایه سازی: 12 تیر 1395
Abstract:
یک ضرب کننده آنالوگ ولتاژ CMOS با توان و ولتاژ مصرفی پایین در این مقاله ارائه شده است که می تواند در فرکانس های بالا استفاده شود. مدار با استفاده از نرم افزار Hspice شبیه سازی شده و با ولتاژ تغذیه 1.3V ولت و توان مصرفی 50µw کار می کند . فرکانس قطع بزرگ تر از 1GHZ بدست آمده است. همچنین مدار دارای پارامتر اعوجاج هارمونیک کلی (THD) حدود 1.5% و ماکزیمم اعوجاج 14.85dB می باشد. ضرب کننده پیشنهادی قابلیت عملکرد بعنوان دو برابرکننده فرکانس را نیز دارد.
Keywords:
توان و ولتاژ مصرفی پایین , دو برابر کننده فرکانس , ضرب کننده آنالوگ ولتاژ
Authors
محمد ستوده نیا کرانی
دانشجوی ارشد دانشگاه آزاد اسلامی واحد سیرجان، گروه مهندسی برق ، سیرجان، ایران
حلیمه نورمحمدی قاسم آبادی
عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد انار
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :