جریان نشتی در ترانزیستورهای نانو تیوب کربن با سد شاتکی
Publish place: 16th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,755
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE16_287
تاریخ نمایه سازی: 6 اسفند 1386
Abstract:
در این مقاله جریان نشتی حالت خاموش ترانزیستورهای نانوتیپ کربن با سطح تماس های سورس و درین سد شاتکی میان گافی مورد بررسی و شبیه سازی قرار گرفته است. جریان نشتی حالت خاموش به دو قسمت تفکیک می شود، یکی گسیل گرمایی حاملها از روی سد شاتکی و دیگری تونل زنی حامل ها از میان حالتهای ناپایدار گاف نواری است. نتایج شبیه سازی ها نشان می دهند که هنگامی که گسیل گرمایی حامل ها قسمت عمده جریان نشتی را تشکیل می دهد با تغییر ابعاد ترانزیستور میزان جریان نشتی تقریباً ثابت می ماند اما هنگامی که تونل زنی از گاف نواری قسمت عمده جریان نشتی را تشکیل می دهد، با کاهش ابعاد قطعه جریان نشتی به صورت نمایی افزایش می یابد.
Keywords:
Authors
زهرا عارفی نیا
دانشگاه سمنان
علی اصغر اروجی
دانشگاه سمنان
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :