طراحی یک Low Power Low Voltage CMOS OP AMP دارای ترارسانش با تغییرات زیر 2% با معماری جدید در طبقه ورودی
Publish place: 16th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 3,686
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE16_318
تاریخ نمایه سازی: 6 اسفند 1386
Abstract:
در این مقاله به دو رهیافت جدید در زمینه طراحی تقویت کننده های عملیاتی مدار مجتمع در شرایط توان پایین و ولتاژ پایین Low Power Low Voltage CMOS OP AMPs در حوزه VDSM پرداخته شده که اساس این دو رهیافت بر این اصل استوار است که بتوان در افزاره های CMOS مقدار gm.ft/Id را بیشینه نمود و این امر وقتی محقق می شود که بایاس افزاره ها در مد وارونگی متوسط صورت پذیرد. در رهیافت اول شکل محاسبات از نظر نحوه بکارگیری معادلات مربوط به این روش مورد نظر بوده که با استفاده از این روابط، مشخصات ترانزیستورهای طبقه ورودی متشکل از زوج های موازی NMOS و PMOS که یک کعماری مرسوم در این زمینه محسوب می شوند، صریحا محاسبه شده اند اما در رهیافت دوم معماری جدیدی نیز در طراحی طبقه ورودی ارائه شده که با استفاده از آن داده های 130nm فناوری CMOS در شرایط تغذیه ±0/6 V و ولتاژهای آستانه Vtn = 0/33 V و Vtp=-0/35 V صورت گرفته است.
Keywords:
ترارسانش , VDSM ULP RFICs Rail to Rail OP AMP
Authors
عبدالله کوروندی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد تویسرکان گروه الکترونیک
محسن حیاتی
دانشگاه رازی کرمانشاه گروه الکترونیک
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :