بررسی تاثیر لایه روکش (cap) بر مقاومت سورس ترانزیستور HFET ساخته شده با AlGaN-GaN
Publish place: 16th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,647
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE16_338
تاریخ نمایه سازی: 6 اسفند 1386
Abstract:
در این مقاله یک نوع ترانزیستور پیوند ناهمگن (HFET) از نوع AlGaN-GaN با مقاومت سورس فوق العاده کوچک بوسیله روکش (SL(super lattice مورد بررسی قرار می گیرد. مزیت های ویژه لایه روکش SL و داشتن پولاریزاسیون لایه های چندتایی، باعث ایجاد گاز الکترون دو بعدی (2DEG) با تمرکز زیاد در مرزهای AlGaN-GaN می شود و در ضمن سد پتانسیل در مرز لایه روکش sL و سد پتانسیل HFET کاهش یافته و مقاومت سورس نیز به طور نسبتا خوبی کاهش می یابد. با طراحی نسبت ضخامت AlGaN-GaN روشی را برای به دست آوردن ساختار بهینه لایه روکش sL برای رسیدن به مقاومت سورس فوق العاده کوچک 1.0994 Ω.mm پیشنهاد داده ایم. برای شبیه سازی از حل کننده همزمان پواسون - شرودینگر استفاده کردیه ایم.
Keywords:
پولاریزانسیون , ترانزیستور اثر میدان پیوند ناهمگن AlGaN-GaN , لایه روکش SL , مقاومت سورس , حل کننده همزمان پواسون-شرودینگر , گاز الکترون دو بعدی (2DEG)
Authors
محمد صادق پیشوایی
دانشگاه آزاد تهران مرکز
رحیم فائز
دانشگاه صنعتی شریف
احسان عطائی پور
دانشگاه آزاد تهران مرکز
عقیل باجلان
دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :