طراحی یک تقویت کننده عملیاتی با بهره ی بالا بر مبنای فیدبک مثبت در تکنولوژی 0.18 μm CMOS
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 647
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEECS02_013
تاریخ نمایه سازی: 9 مرداد 1395
Abstract:
یک قسمت مهم در طراحی مدارهای مجتمع آنالوگ طراحی و ساخت جریان ها ولتاژهای مرجع با مقادیر بخوبی تعریف شده می باشد برای اینکه این کار بر روی تراشه و به صورت مجتمع انجام می شود معمولا از مدارهای مرجعی استفاده می شود که مدارهای مرجع گاف انرژی نامیده می شود این مدارها نیاز به تقویت کننده های عملیاتی با بهره ی بالا دارند تا بتوانند تغییرات دمایی بسیار پایینی داشته باشند در این مقاله یک مدار جدید برای تقویت کننده ی عملیاتی پیشنهاد و ارائه می گردد
Keywords:
Authors
جواد ایزدی
دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک
بهروز حیدری
استاد راهنما و عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک
محمد باقر توکلی
استاد مشاور و رییس گروه الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :