بررسی بهبود اندوکتانس و ضریب کیفیت ساخت سلف مجتمع در لایه های مختلف فلز در یک تکنولوژی مدارهای مجتمع استاندارد با زیر لایه سیلیکون

Publish Year: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 2,728

This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

ISCEE11_199

تاریخ نمایه سازی: 15 اسفند 1386

Abstract:

هدف از این مقاله بررسی ساخت سلف در لایه های مختلف فلزی در تکنولوژی های متداول ساخت مدارهای مجتمع به منظور رسیدن به کیفیت بالاتر می باشد. نتایج شبیه سازی با استفاد ه از شبیه ساز الکترومغناطیسی SONNET در این مقاله نشان داد که هرچه برای ساخت از لایه های فلز بالاتر استفاده شود به دلیل دور شدن سلف از زیر لایه پر تلفات ضریب و کاهش خازن پارازیتی بین سلف و زیر لایه کیفیت سلف بهبود پیدا می کند و فرکانس خود تشدید سلف نیز افزایش می یابد.

Authors

نیما حسینی

موسسه آموزش عالی سجاد

مهدی اکبری نوقابی

موسسه آموزش عالی سجاد

هومن نبوتی

موسسه آموزش عالی سجاد

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • H. Jiang, Y. Wang, J.-L. A. Yeh, and N. C. ...
  • Vijay K. Varadan, K. J. Vinoy, K. A. Jose, RF ...
  • Joachim N. Burghartz, and Behzad Rejaei, "On the Design of ...
  • S. J. Pan, L. W. Li, and W. Y. Yin, ...
  • نمایش کامل مراجع