بررسی خواص ترابرد الکترونها در نیمرساناهای InP و GaAs برای طراحی قطعات اپتپالکترونیکی در حد طول موج های بلند
Publish place: 14th Iranian Conference on Optics and Photonics
Publish Year: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,061
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICOPTICP14_026
تاریخ نمایه سازی: 22 اسفند 1386
Abstract:
با استفاده از شبیه سازی مونتو کارلو، مدلی سه ذره ای برای مقایسه خواص ترابرد الکترونها در دو نیمرسانای InPو GaAs در حضور میدانهای شدید مورد استفاده قرار گرفته است. عوامل مختلف پراکندگی الکترونها از فونون ها و اتم های ناخالصی در این شبیه سازی در نظر گرفته شده است. مشخصه های ترابرد الکترونها در دو ماده نشان می دهد که سرعت سوق الکترونها در InP بیشتر ازGaAs بوده و در میدان الکتریکی بزرگتری رخ می دهد. اشباع سریع سرعت سوق در InP کاربردهای اپتوالکترونی این ماده را پیشنهاد می کند. این محاسبات در توافق خوبی با اندازه گیری های تجربی است.
Authors
محمدرضا خلوتی
گروه فیزیک دانشگاه تربیت معلم سبزوار