بررسی سطح موثر سیلیکون تغییر یافته توسط تپهای لیزر نانو ثانیه در محیط های مختلف
Publish place: 14th Iranian Conference on Optics and Photonics
Publish Year: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,210
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICOPTICP14_053
تاریخ نمایه سازی: 22 اسفند 1386
Abstract:
در این مقاله سطوح تغییر یافته سیلیکون به وسیله تپهای لیزر dN:Yag در محیطهای مختلف (هوا، اتانول و آب) را مورد بررسی قرار می دهیم. جهت ایجاد میکرو ساختارها بر روی سطح سیلیکون از هارمونیک دوم لیزر Nd:Yag با تپهای نانو ثانیه استفاده نموده ایم و توپوگرافی سطوح بوسیله میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) تصویربرداری شده است. در این کار افت و خیزهای ارتفاع سطوح تغییر یافته سیلیکون توسط لیزر با استفاده از روش آماری فرکانس وقوع بررسی شده و سطح موثر برای این سطوح مقایسه می شود. نتایج نشان می دهد که سطح موثر ساختارهای ایجاد شده بر روی سیلیکون در مایعات نسبت به ساختارهای ایجاد شده در هوا افزایش می یابد.
Keywords:
Authors
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :