سلول های خورشیدی سیلیکونی با و بدون نانو تخلخل های سطحی

ما در این مقاله داده های تجربی وابسته به مشخصه های I-V سلول های خورشیدی دو نمونه با سطوح متخلخل (عادی) را تحت شدت های تابشی (Pin) مختلف مورد بررسی قرار داده ایم. این داده ها حاکی ار آنند که چگالی جریان اتصال کوتاه: (1) همواره به ازای هر مقدارPin در نمونه متخلخل بزرگتر از نمونه عادی است، (2) با شدت تابش به طور خطی (Jsc=βPin) افزایش می یابد. محاسبات کمی نشان می دهد : مورد نخست می تواند نتیجه وابستگی مقاومت متوالی به شدت تابش و کوچکتر بوده این کمیت در قطعه متخلخل باشد و مورد دوم وابسته به میزان بازتابندگی نور در سطح نمونه هاست که به نوبه خود بر شیب (β) تاثیر می گذارد.

Keywords:

بازتابندگی , چگالی جریان اتصال کوتاه , سلول خورشیدی , سیلسکون متخلخل , شدت نور