تعیین جرم موثر به روش اپتیکی در تک بلور InSb

اندازه گیری جرم موثر ناقلها در جامدات از اهمیت بسیاری برخوردار است. یکی از روشهای اندازه گیری مستقیم جرم موثر استفاده از تشدید سیکلوترونی است که خطای آن 2% می باشد. در روش دیگری که به کار برده می شود جرم موثر از طریق تعیین فرکانس پلاسمای به دست آمده اندازه گیری می شود. خطای این روش که به روش اپتیکی موسوم است، در حدود 5% می باشد. در کار حاضر، فرکانس پلاسمای تک بلور InSb رشد داده شده به روش بریجمن در چگالی مختلف الکترونها اندازه گیری شده است. چگالی الکترونها 15 * 7/3 به توان 17 (cm-3) الی 1/2*15 به توان 19 (cm-3) و فرکانس پلاسما از 10 * 1/2 به توان 13 Hz الی 2/45 * 10 به توان 13 Hz متغییر نموده است. جرم موثر بدست آمده از محاسبات بین 0/03 تا 0/07 متغیر بود. این نتیجه با نتایج به دست آمده توسط سایر مولفان مطابقت بسیار بالایی دارد.