تولید لایه های نازک اکسید قلع الایش شده توسط پالادیم به روش سل - ژل

Publish Year: 1383
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 77

This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

ICC05_063

تاریخ نمایه سازی: 19 بهمن 1402

Abstract:

بنابر تحقیقات انجام شده جذب گاز روی سطح نیمه هادی باعث تغییر هدایت الکتریکی می شود و ازاین رو مطالعات زیادی برای ساخت دستگاه هایی که بتوانند گازهای سمی و آتش زا را بطور قابل اطمینانی تشخیص هند انجام شد. بهترین مواد برای حسگرهای گازها، لایه های اکسید قلع SnO۲ می باشند. در این مقاله، مرور کوتاهی بر مکانیزم کار حسگرهای گازی لایه نازک Thin Film Gas Sensor بر پایه اکسید قلع مکانیزم واکنش گازهای احیایی روی سطح نیمه هادی ارائه شده است که برای مونیتور کردن گازهای سمی در کاربردهای خانگی Domestic استفاده می شوند. سه مشخصه مهم هم حسگر گازی، حساسیت Sensitivity، انتخاب Selectivity و پایداری Selectivity انها می شود. عیب اصلی حسگرهای گازی نیمه هادی، انتخاب کم آنها نسبت به ذرات گازی است. با انجام فرآیند آلایش doping این مواد با عناصری نظیر Pd,Pt و... یا راسب کردن یک لایه کاتالیست می توان انتخاب این مواد نیمه هادی را نسبت به یک ذره گازی مشخص افزایش داد. در این مقاله لایه های نازک اکسید قلع به روش سل - ژل تهیه شده و جهت بهبود رفتار حسگری آنها، با پالادیوم آلایش شده اند. نتایج بدست آمده نشان می دهند که لایه های ایجاد شده کریستالی و ازنوع SnO۲ در حالت غیر آلایش شده و SnO۲-PdO در حالت الایش شده بوده و میزان میکروترک در آنها قبل از عملیات پخت بسیار زیاد است.

Authors

سیدخطیب الاسلام صدرنژاد

دانشکده مهندسی وعلم مواد دانشگاه صنعتی شریف

محمدرضا واعظی

دانشکده مهندسی وعلم مواد دانشگاه صنعتی شریف