Analysis of Loading Effect between Stages in Switched Pi/T and Bridged-T Attenuators
Publish place: The first international conference of modern research engineers in electricity and computer
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 610
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CBCONF01_0818
تاریخ نمایه سازی: 16 شهریور 1395
Abstract:
This paper presents an analytical evaluation of theloading effect between the stages in a digital step attenuator withswitched π/T/bridge-T structure. Based on the results of theanalysis, an X-band 6-bit attenuator is designed in 0.18 μmCMOS technology with attenuation coverage and LSB of 31.5 dBand 0.5 dB, respectively. The RMS gain error and the RMS phaseerror are less than 0.29 dB and 1.7 degree at 8-12 GHz,respectively.
Keywords:
Authors
Ali Ahmadikia
Department of Electrical Engineering Sharif University of Technology Tehran, Iran
Poorya Karami
Department of Electrical Engineering Sharif University of Technology Tehran, Iran
Seyed Mojtaba Atarodi
Department of Electrical Engineering Sharif University of Technology Tehran, Iran
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :