یک تقویت کننده عملیاتی دو طبقه ولتاژ پایین و توان پایین با استفاده از ترانزیستورهای FinFET
Publish place: The Second International Conference and the Third National Conference on the Application of New Technologies in Engineering Sciences
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,424
This Paper With 18 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ITCC02_480
تاریخ نمایه سازی: 21 شهریور 1395
Abstract:
در این مقاله ، یک تقویت کننده عملیاتی دو طبقه جدید بهره بالا و توان پایین مبتنی بر ترانزیستور FomFET با گیت های مستقل پیشنهاد شده و طراحی و شبیه سازی آن با نرم افزار HSPICE و تکنولوژی 32 نانومتر FinFET به انجام رسیده است. مشخصات اصلی تقویت کننده پیشنهادی از قبیل بهره ولتاژ DC، توان مصرفی، فرکانس بهره واحد (UGF)، نسبت حذف حالت مشترک (CMRR)، نسبت حذف اثر تغذیه (PSRR) و زمان نشست (settling-time) محاسبه شدند و با یک تقویت کننده دو طبقه مرسوم CMOS مورد مقایسه قرار گرفتند. مشاهده شد که تقویت کننده عملیاتی پیشنهادی مبتنی بر FinFET در ولتاژ تغذیه کمتر عملکرد بالایی در مقایسه با تقویت کننده دو طبقه مرسوم مبتنی بر MOSFET دارد. در طرح پیشنهادی با ولتاژ تغذیه 1 ولت و توان مصرفی 58 میکرو وات ، بهره 52 دسی بل و فرکانس بهره واحد 4/6 مگا هرتز با حد فاز 71 درجه بدست آمد. با مقایسه طرح پیشنهادی با تقویت کننده دو طبقه CMOS مرسوم از لحاظ ضریب شایستگی مشاهده کردیم که ضریب شایستگی طرح پیشنهادی به اندازه 1/2 برابر بهبود یافته است.به انجام رسید
Keywords:
Authors
امیر باغی رهین
دانشگاه آزاد اسلامی، واحد سردرود، گروه مهندسی برق ، سردرود، ایران
وحید باغی رهین
دانشگاه آزاد اسلامی، واحد سردرود، گروه مهندسی برق ، سردرود، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :