اندازه گیری میزان لایه نشانی در مقیاس نانومتر
Publish place: کنفرانس بین المللی مهندسی برق
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 972
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICELE01_098
تاریخ نمایه سازی: 21 شهریور 1395
Abstract:
با توجه به افزایش روزافزون گرایش به فناوری نانو، ابعاد تراشه های الکترونیکی روز به روز در حال کاهش است، بنابراین ارائه روشی جهت تعیین دقیق میزان ضخامت آن ها دارای اهمیت علمی و صنعتی است. یک از روش های مورد توجه در این زمینه روش تبخیری است که دارای مزایایی از قبیل آهنگ انباشت بالا و سهولت اجرا می باشد. در این تحقیق اندازه گیری ضخامت لایه های نشانده شده به روش تبخیری جهت لایه نشانی مواد بر زیر لایه کوارتز انجام می پذیرد. سپس با استفاده از عبور جریان از یک المنت، دما بالا رفته و به این ترتیب ماده ای که بر روی المنت قرار دارد تبخیر می شود. ماده تبخیر شده بر روی سطح کریستال مسطح (QCM) نشسته و در انتها توسط مدارات واسط تغییرات ضخامت لایه های نازک، به تغییرات فرکانس تبدیل، سپس به کامپیوتر منتقل و نرخ رشد به نمایش گذاشته می شود. اعمال این روش بر روی یک نمونه آزمایشگاهی در خلاء نشان می دهد که اندازه گیری ضخامت لایه نشانی بر روی سطح کریستال مسطح با دقت چند نانومتر امکان پذیر می باشد.
Keywords:
Authors
مهرداد انعامی
دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق- الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد ماهشهر
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :