اندازه گیری میزان لایه نشانی در مقیاس نانومتر

با توجه به افزایش روزافزون گرایش به فناوری نانو، ابعاد تراشه های الکترونیکی روز به روز در حال کاهش است، بنابراین ارائه روشی جهت تعیین دقیق میزان ضخامت آن ها دارای اهمیت علمی و صنعتی است. یک از روش های مورد توجه در این زمینه روش تبخیری است که دارای مزایایی از قبیل آهنگ انباشت بالا و سهولت اجرا می باشد. در این تحقیق اندازه گیری ضخامت لایه های نشانده شده به روش تبخیری جهت لایه نشانی مواد بر زیر لایه کوارتز انجام می پذیرد. سپس با استفاده از عبور جریان از یک المنت، دما بالا رفته و به این ترتیب ماده ای که بر روی المنت قرار دارد تبخیر می شود. ماده تبخیر شده بر روی سطح کریستال مسطح (QCM) نشسته و در انتها توسط مدارات واسط تغییرات ضخامت لایه های نازک، به تغییرات فرکانس تبدیل، سپس به کامپیوتر منتقل و نرخ رشد به نمایش گذاشته می شود. اعمال این روش بر روی یک نمونه آزمایشگاهی در خلاء نشان می دهد که اندازه گیری ضخامت لایه نشانی بر روی سطح کریستال مسطح با دقت چند نانومتر امکان پذیر می باشد.

Keywords:

ضخامت , QCM , روش تبخیری , نانومتر