مطالعه اصول اولیه گرافن فلوئوردارشده
Publish place: The first national conference on new approaches in electrical and computer engineering
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 569
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NAECE01_032
تاریخ نمایه سازی: 26 شهریور 1395
Abstract:
اگر چه عدم وجود یک شکاف باند باعث ممانعت از کاربردهای گرافن در دستگاههای میکرو الکترونیک است، ولی یک شکاف باند مناسب را میتوان با عامل دار کردن شیمیایی گرافن طراحی کرد. ما اصول اولیه محاسبات نانوساختارهای دوبعدی مربوط به گرافن که با فلوئور عامل دار شده است را در ساختار صندلی بیان میکنیم. سایر مطالعات به طور عمده روی موارد عامل دار کردن %100 و 50% توسط هیدروژن متمرکز بودهاند، بنابراین، انجام تحقیق کامل تری، برای تغییر در خواص الکترونی و ساختاری، با توجه به عامل دار کردن، مطلوب به نظر میرسید، به همین علت ما تعداد اتمهای اضافه شده را یک به یک افزایش دادهایم. چگالی نسبی حالات، ساختار نواری و انرژی اتصال را در چارچوب نظریه تابع چگالی محاسبه کرده و توسط نرم افزار siesta شبیه سازی کرده ایم. همچنین تغییرات در طول باند C-F و C-C را مورد بررسی قرار داده ایم. همانطور که تعداد اتمهای اضافی (فلوئور) افزایش مییابند، تغییرات در شکاف باند در اطراف انرژی فرمی مشاهده میشود، و در نتیجه رفتار نانوساختار از هادی به نیمه هادی / عایق تغییر پیدا میکند. همچنین واضح است که امکان تنظیم خواص الکترونیکی گرافن عاملدار، به نحوی که به یک ماده مناسب در میکروالکترونیک تبدیل شود، وجود دارد.
Keywords:
Authors
ندا رازانی
گروه برق واحد بروجرد، دانشگاه آزاد اسلامی واحد بروجرد
مهران بالارستاقی
گروه برق واحد بروجرد، دانشگاه آزاد اسلامی واحد بروجرد
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :