بررسی خواص ترابردی الکترونها در نیمرسانای InP در میدانهای الکتریکی ضعیف
Publish place: The first annual national conference of electrical and bioelectrical engineering in Iran
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 571
This Paper With 5 Page And PDF and WORD Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ARGCONF01_002
تاریخ نمایه سازی: 26 شهریور 1395
Abstract:
با حل مستقیم معادله ترابردی بولتزمن به روش تکرار ، بستگی تحرک پذیری به دما و چگالی الکترونها در نیمرسانای InP محاسبه و با دو نیمرسانای InAs و Ga0.51In0.49P مقایسه شده است . در محاسبه تحرک پذیری ، پراکندگی از فونون های آکوستیکی ، پیزوالکتریک ، اتم های ناخالصی یونیده و فونون های اپتیکی قطبی برای یک نوار رسانش غیر سهموی با توابع موج ترکیبی در نظر گرفته شده است . نتایج محاسبات با داده های تجربی و محاسبه با تقریب زمان واهلش که در مقالات منتشر شده ، مقایسه شده است که توافق خوبی بین نظریه و تجربه را نشان می دهد.
Keywords:
Authors
فاطمه زکیه توحیدی
دانشگاه علوم پزشکی زاهدان، گروه فیزیک پزشکی، زاهدان، ایران