بهبود مقاومت به اکسایش تیتانیوم به کمک آلیاژ سازی سطحی آن با Si
Publish place: 11th Congress of the Iranian Metallurgical Society
Publish Year: 1386
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 2,492
This Paper With 13 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
CIMS11_109
Index date: 13 May 2008
بهبود مقاومت به اکسایش تیتانیوم به کمک آلیاژ سازی سطحی آن با Si abstract
فرایند قوس تنگستن (TIG) جهت آلیاژ سازی سطحی تیتانیم خالص تجاری (CP-Ti) با سیلیسیم مورد استفاده واقع شد و لایه های آلیاژی سطحی بر مبنای ترکیب بین فلزی Ti5Si3 حاصل گردید. بکمک تغییر حرارت ورودی، عمق و پهنا و میزان سیلیسیم لایه های آلیاژی کنترل شد. بررسی لایه های آلیاژی با میکروسکوپی نوری و الکترونی روبشی، پراش سنجی پرتو ایکس، سنجش شدت انرژی طیف پرتو X، سنجش سختی میکروسکوپی و آزمایش اکسایش تکدما صورت پذیرفت. بررسیها نشان داد که ساختار لایه های آلیاژ شده سطحی به صورت انجماد دندریتهای α-Ti همراه با مناطق بین دندریتی با مورفولوژی یوتکتیکی بر مبنای α-Ti+Ti5Si3 می باشد که باعث افزایش میزان سختی آنها نسبت به زیر لایه تا حدود 5 برابر شده است. همچنین اکسایش نمونه های آلیاژ شده سطحی در دمای 900 درجه سانتیگراد نشان از مقاومت به اکسایش بهتر آنها نسبت به زیر لایه داشت که محتملا به علت سرعت کمتر نفوذ اکسایش در ترکیبات بین فلزی و اکسید متراکم شده با سیلیسیم می باشد.
بهبود مقاومت به اکسایش تیتانیوم به کمک آلیاژ سازی سطحی آن با Si Keywords:
بهبود مقاومت به اکسایش تیتانیوم به کمک آلیاژ سازی سطحی آن با Si authors
فرهاد ادیب حاج باقری
کارشناس ارشد مهندسی مواد
سید فرشید کاشانی بزرگ
دانشیار دانشکده مهندسی مواد و متالورژی، پردیس دانشکده فنی، دانشگاه
احمد علی آماده
استادیار دانشکده مهندسی مواد و متالورژی، پردیس دانشکده فنی، دانشگاه
تقی موسی الرضایی
کارشناس ارشد مهندسی مواد
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :