بررسی آزمایشگاهی تأثیر شدت میدان مغناطیسی بر ضریب کشش سطحی نانوسورفکتانت غیر یونی

هدف از انجام این پژوهش مطالعه آزمایشگاهی تأثیر شدت میدان مغناطیسی بر روی ضریب کشش سطحی نانوسورفکتانت غیریونی می باشد. در این پژوهش از سورفکتانت غیر یونی نونیل فنل اتوکسیله )با درجه اتوکسیله 9( برپایه آب استفاده شده است. تأثیرات غلظت سورفکتانت0تا0/8 درصد حجمی شدت میدان مغناطیسی 0تا75گوس( و دما ) 55 و 00 درجه سانتیگراد( بر روی ضریب کشش سطحی مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفت. نتایج تجربی نشان می دهد با اعمال میدان مغناطیسی نیروی جاذبه بین مولکولی سورفکتانت و سیال پایه افزایش می یابد که باعث روند افزایشی کشش سطحی می شود.

بررسی آزمایشگاهی تأثیر شدت میدان مغناطیسی بر ضریب کشش سطحی نانوسورفکتانت غیر یونی Keywords:

نانوسورفکتانت , غیر یونی , نونیل فنل اتوکسیله , کشش سطحی

بررسی آزمایشگاهی تأثیر شدت میدان مغناطیسی بر ضریب کشش سطحی نانوسورفکتانت غیر یونی authors

محمد حسن

دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشگاه آزاد اسلامی واحد گچساران، گروه مهندسی شیمی، گچساران، ایران

داریوش عمادزاده

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :

راشد محصل، ج.، معینی، ع.، 1379، ((فیزیک الکتریسیته _ مغناطیس))، ...

B.Y. jamaloei, (2009), Insight into the Chemistry of S urfactant ...

Koichi Matsumoto, Keiichi Ichikawa, Shuichi Hasegawa, Masaru Suzuki, Yuichi Okuda, ...

Young I. Cho, Sung-Hyuk Lee, 2005, Reduction in the surface ...

M.C. Amiri, Ali A. Dadkhah, 2006, On reduction in the ...

Hongwei Yang, Ran Cai, Jinsong He, Wanpeng Zhu, 2009, The ...

Y Fujimura, M Iino, 2009, 3rd International Workshop _ Materials ...

نمایش کامل مراجع

Certificate
I'm the author of the paper

Export:

Link to this Paper:

https://civilica.com/doc/531386

Document National Code:

EMAA05_065

Index date: 4 December 2016

How to cite:

If you want to refer to this Paper in your research work, you can simply use the following phrase in the references section:

حسن، محمد و عمادزاده ، داریوش،1395،بررسی آزمایشگاهی تأثیر شدت میدان مغناطیسی بر ضریب کشش سطحی نانوسورفکتانت غیر یونی،پنجمین همایش پژوهش های نوین در علوم و فناوری،Kerman،https://civilica.com/doc/531386

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این Paper اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1395، حسن، محمد؛ داریوش عمادزاده )
برای بار دوم به بعد: (1395، حسن؛ عمادزاده )
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

Scientometrics

The specifications of the publisher center of this Paper are as follows:

Ranking of Islamic Azad University of Gajsaran

Type of center: دانشگاه آزاد

Paper count: 1,929

In the scientometrics section of CIVILICA, you can see the scientific ranking of the Iranian academic and research centers based on the statistics of indexed articles.

Related papers

مقاله فارسی "بررسی آزمایشگاهی تأثیر شدت میدان مغناطیسی بر ضریب کشش سطحی نانوسورفکتانت غیر یونی" توسط محمد حسن، دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشگاه آزاد اسلامی واحد گچساران، گروه مهندسی شیمی، گچساران، ایران؛ داریوش عمادزاده نوشته شده و در سال 1395 پس از تایید کمیته علمی پنجمین همایش پژوهش های نوین در علوم و فناوری پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله نانوسورفکتانت، غیر یونی، نونیل فنل اتوکسیله،کشش سطحی هستند. این مقاله در تاریخ 14 آذر 1395 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 502 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که هدف از انجام این پژوهش مطالعه آزمایشگاهی تأثیر شدت میدان مغناطیسی بر روی ضریب کشش سطحی نانوسورفکتانت غیریونی می باشد. در این پژوهش از سورفکتانت غیر یونی نونیل فنل اتوکسیله )با درجه اتوکسیله 9( برپایه آب استفاده شده است. تأثیرات غلظت سورفکتانت0تا0/8 درصد حجمی شدت میدان مغناطیسی 0تا75گوس( و دما ) 55 و 00 درجه سانتیگراد( بر روی ضریب ... . برای دانلود فایل کامل مقاله بررسی آزمایشگاهی تأثیر شدت میدان مغناطیسی بر ضریب کشش سطحی نانوسورفکتانت غیر یونی با 7 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.