بدست آوردن رابطه بسته جریان - ولتاژ برای ترانزیستور نانولوله کربنی به کمک الگوریتم ژنتیک

Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 619

This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

این Paper در بخشهای موضوعی زیر دسته بندی شده است:

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

AIHE10_160

تاریخ نمایه سازی: 5 بهمن 1395

Abstract:

دراین مقاله رابطه بسته جریان - ولتاژ برای ترانزیستور CNTFET شبیه به MOSFET ارایه شده است یک تئوری ساده ای است که بامدل سازی CNTFET به کمک فرمول لاندور به همراه معادله ای که وابستگی بین سطح فرمی و تراکم حاملها را نشان میدهد میتوانیم جریان درین سورس و معادله یک بعدی 1D جریان CNTFET را بدست آوریم همچنین برای محاسبه تراکم حاملها نیاز است که انتگرال حاصل ضرب چگالی حالت ها و تابع فرمی بصورت عددی محاسبه شود این محاسبه قدری پیچیده است دراین مقاله با مطالعه رفتاراین انتگرال به تابعیت سطح فرمی دربازه ای مورد نیاز نشان داده شده که مقدار آن را میتوان با معادله ی درجه دومی به کمک برازش منحنی تقریب زد بدین ترتیب یک رابطه بسته جریان ولتاژ به کمک تئوری انتقال بالستیک و براز شمنحنی مبتنی برالگوریتم ژنتیک برای حل انتگرال بدون نیاز به حل خودسازگارارایه کرده ایم درادامه این مدل را با مدلهای عددی مقایسه کرده و نتایج حاصل ازشبیه سازی دقت خوب مدل پیشنهادی را تایید می کند

Keywords:

رابطه بسته جریان - ولتاژ /ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله کربنی /الگوریتم ژنتیک /گرافن

Authors

جابر جوزایی سیویری

دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک، گروه مهندسی برق، موسسه آموزش عالی ایندگان، تنکابن،ایران

محمدکاظم انوری فرد

استادیار گروه علوم مهندسی، دانشکده فنی و مهندسی شرق گیلان، دانشگاه گیلان، رودسر- واجارگاه، ایران

فرشته پورآهنگریان

گروه مهندسی برق، موسسه آموزش عالی آیندگان، تنکابن،ایران

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • ومین کنفرانس ملی توسعه علوم مهندسی ...
  • اردیبهشت 1395, موسسه آموزش عالی آیندگان , تنکابن «ایران ...
  • K. Roy, S. Mukhopadhyay, and H. Me ima nd-Mehmoodi, "Leakage ...
  • J. Deng and H.-S P. Wong, _ Compact SPICE Model ...
  • A. Rahman, J. Guo, S. Datta, and M. Lundstrom, "Theory ...
  • J. Guo, S. Datta, M.S. Lundstrom and M.P. Anantram, _ ...
  • S. Kirkpatrick, C. D. Gelatt, Jr., and M. P. Vecchi, ...
  • J. H. Holland, "Genetic algorithms, " Scientik American, July 1992, ...
  • J. W. Mintmire and C. T. White, Phys. Rev. Lett., ...
  • R. Saito, G. Dresselhaus, and M.S. Dresselhaus, Physical Properties of ...
  • Lundstrom, M., Guo, J., Nanoscale Transistors: Device Physcs, Modeling and ...
  • Messa, K., and M. Lybanon. Curve fitting using genetic algorithms. ...
  • نمایش کامل مراجع