بررسی تاثیر شرایط مرزی در مدل کامپکت کانال کوتاه افزار MOSFET
Publish Year: 1395
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 526
This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
COMCONF02_029
Index date: 24 January 2017
بررسی تاثیر شرایط مرزی در مدل کامپکت کانال کوتاه افزار MOSFET abstract
در این مقاله شرایط مرزی در مرز اتصال نواحی ترانزیستور ماسفت مورد بحث قرار گرفته و نتایج آن ها بر روی مدل کامپکت اثر کانال کوتاه در ماسفت بررسی شده است . ابتدا نشان داده که مدل قبلی VDT نتایج شبیه سازی را زمانی که ناحیه درین با دوز کم یا اسپیسر نازک در نظر گرفته شده باشد را محقق نمی کند. راه حلی که برای آن پیشنهاد شده اصلاح مدل پتانسیل کانال با استفاده از شرایط مرزی دقیق در لبهکانال که از محاسبه یک مقدار دقیق و موثر پتانسیل درون ساخت در سورس و درین تشکیل شده است ، می باشد.در ادامه تاثیر بهبودهای ایجاد شده در شرایط مرزی مدل کامپکت اثر کانال کوتاه بررسی شده است. نشان داده شده مقادیر DIBL و SS در مدل قبلی VDT را می توان به سادگی در تمامی افزاره های ماسفت به مقدار مورد قبول در شبیه سازی و بدون تنظیم پارامترها اصلاح نمود. که این در نهایت اجازه بررسی تاثیر غلظت دوپینگ اتصالها بر روی عملکرد افزاره را می دهد.در ادامه با اصلاح مدل جدید و تاثیر خازن موثر گیت در آن نشان خواهیم داد که مدل جدید توافق بهتری با نتایج شبیه سازی خواهد داشت.
بررسی تاثیر شرایط مرزی در مدل کامپکت کانال کوتاه افزار MOSFET Keywords:
بررسی تاثیر شرایط مرزی در مدل کامپکت کانال کوتاه افزار MOSFET authors
همدم قناتیان
موسسه آموزش عالی پویش
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :