بررسی تاثیر عامل دار کردن بر ساختار باند و چگالی حالات گرافن

گرافن به خاطر خواص منحصر به فردی که دارد، برای کاربرد در الکترونیک بسیار مناسب می باشد، اما گرافن ماده ای با گاف انرژی صفر می باشد، بنابراین برای استفاده در صنایع الکترونیک، نیاز داریم که در آن گاف انرژی باز کنیم. روش های متفاوتی برای تولید بند گپ در گرافن ارائه شده است، یکی از جدیدترین این روش ها، عامل دار کردن گرافن است. سایر مطالعات به طور عمده روی موارد عامل دار کردن 100 % و 50 % توسط هیدروژن متمرکز بوده اند، بنابراین، انجام تحقیق کامل تری، برای تغییر در خواص الکترونی و ساختاری، با توجه به عامل دار کردن، مطلوب به نظر می رسید، به همین علت ما با دو نوع اتم هیدرون و فلوئور، تعداد اتم های اضافه شده را یک به یک افزایش داده ایم. ما چگالی نسبی حالات و ساختار نواری را در چارچوب نظریه تابع چگالی محاسبه کرده و توسط نرم افزار siesta شبیه سازی کرده ایم.

Keywords:

ساختارباند , سیستا , چگالی الکترونیکی حالات , گرافن , نظریه تابع چگالی