بررسی سد پتانسیل تدریجی بر عملکرد ترانزیستور GaN HEMT
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 906
This Paper With 19 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
COMCONF02_216
تاریخ نمایه سازی: 5 بهمن 1395
Abstract:
با پیشرفت فناوری های نوین، استفاده از قطعات نیمه هادی با فرکانس کاری وسرعت بالا ودر عین حال نویز وتوان مصرفی پایین دراندازه های کوچکتر افزایش یافته است .قطعات نیمه هادی برپایه GaN HEMT از این نوع می باشد .در این مقاله عملکرد نمونه ای از این ترانزیستورها را با تغییر تدریجی دوپینگ سد پتانسیل از نظر مشخصه های خروجی قطعه بررسی میگردد .تغییر دوپینگ به صورت افزایشی وکاهشی بوده که با حالت دوپینگ یکنواخت مقایسه میگردد .شبیه سازی قطعه با نرم افزار Silvaco می باشد.با توجه به نتایج بدست آمده از خروجی قطعه در سه حالت افزایشی،کاهشیویکنواخت مشخصه های قطعه در حالت کاهشی بهبود یافته است.
Keywords:
Authors
مریم شایع سبزوار
دانشجوی کارشناسی ارشد،دانشگاه آزاد اسلامی واحد بجنورد
سیدابراهیم حسینی
استادیار،دانشگاه فردوسی مشهد،دانشکده فنی مهندسی،گروه برق الکترونیک
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :