بررسی لیتوگرافی و اچینگ در طراحی نیمه هادی های با کیفیت بهتر
Publish Year: 1395
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,797
This Paper With 20 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
COMCONF02_217
Index date: 24 January 2017
بررسی لیتوگرافی و اچینگ در طراحی نیمه هادی های با کیفیت بهتر abstract
برای تولید مدار مجتمع از فیلم های باریک با مواد مختلف، به عنوان لایه های محافظ جهت افزودن و یا کشت اتم های ناخالصی و یا به عنوان عایق عیان مواد رسانا و سیلیکون زیر لایه استفاده می شود و ماسک ها شامل الگویی از پنجره هایی هستند که تحت فرایندی که فتولیتوگرافی خوانده می شود به روی سطح سیلیکون منتقل می شوند.فتولیتوگرافی تعام مراحل درگیر در انتقال الگو از یک ماسک برروی سطح سیلیکون و بیقرراداراعی باشد. یکی از شرایط و فرایند مهم تهیه و بیقرهای پاک در اتاق پاک و تمیز می باشد. پاکسازی و بفر خود به قتهایی یک قرایند دقیقی را طلب می کند. تمیزی سطح ویفر برای تنظیم ماسک جهت انجام پخت های نرم وسخت، ایجاد لایه محافظ بافتور زیست، تمیز کردن تعام پنجره ها، تابشی نور به فتور زیست،انجام مراحل مختلف اچینگ ودرنہایت حذف تمام فتور زیست هامی تواند مارادرطراحی ایک نیمه هاری خوب و با کیفیت بالاو هم چنین در تهیه یک عدار مجتمع قابل قبول و بهره برداری از آن برای پروژه های عظیم الکترونیکی یاری نماید. در صورت اجرای دقیق شرایط ۱۰گانه فرآیند لیتوگرافی یک نیمه هادی با کیفیت قابل قبول می توان ارائه داد.
بررسی لیتوگرافی و اچینگ در طراحی نیمه هادی های با کیفیت بهتر Keywords:
لیتو گرافی. Etchingقتور زیست.Masksسیلیکون.WafeI.oxide.اتاق تمییز , فتوملک۔bakin
بررسی لیتوگرافی و اچینگ در طراحی نیمه هادی های با کیفیت بهتر authors
سیدجواد جوادی مقدم
عضو هیئت علمی دانشگاه پیام نور
علی اکبری مجد
دانشجوی کارشناسی ارشد شده الکترونیک دانشگاه پیام نور تهران - تهران شمال
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :