بررسی مشخصه جریانی ترانزیستورهای نانو لوله کربنی چند کاناله بر مبنای تغییرات فاصله کانال و ضخامت اکسید
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 461
This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NPECE01_260
تاریخ نمایه سازی: 6 بهمن 1395
Abstract:
در این پژوهش به بررسی تحلیلی برخی پارامترهای اساسی ترانزیستورهای نانولوله کربنی چندکاناله با ساختار گیت فراگیر خواهیم پرداخت از انجایی که مهمترین عامل تغییر رفتار ترانزیستور خازن های داخلی آن می باشد ابتدا به معرفی خازن گیت Cgg که متشکل از خازن ذاتی گیت کانال Cgc و خازن های پارازیتی حاشیه کناری Cof و خازن کوپلاژ Cgtg است در ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی چند کاناله با در نظر گرفتن اثرات پوششی بین کانال های مجاور می پردازیم سپس به ارائه یک مدل شبیه سازی بالستیک برای ترانزیستورهای چند کاناله با در نظر گرفتن کامل خازن های ساختار آن به بررسی مشخصه ولتاژ جریانی افزازه با تغییر برخی پارامترهایی اساسی آن از قبیل فاصله کانال های مجاور و ضخامت اکسید از هم خواهیم پرداخت
Keywords:
Authors
مینا احمدی مرجقل
کارشناس ارشد برق الکترونیک واحد رشت دانشگاه آزاد اسلامی رشت ایران
سید علی صدیق ضیابری
دکتری برق الکترونیک واحد رشت دانشگاه آزاد اسلامی رشت ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :