بیان رابطه و محاسبه مقاومت بدنه ترانزیستورهای PD SOI MOSFET در ابعاد نانومتر
Publish place: کنفرانس پژوهش های نوین در علوم و مهندسی
Publish Year: 1395
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 667
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
NRSECONF01_108
Index date: 25 January 2017
بیان رابطه و محاسبه مقاومت بدنه ترانزیستورهای PD SOI MOSFET در ابعاد نانومتر abstract
در این مقاله سعی بر آن شده است که یک رابطه برای محاسبه مقدار موثر مقاومت بدنه ترانزسیتورهایPD SOI MOSFET در مقیاس 54 نانومتر مطرح شود. ابتدا با استفاده از محیط شبیه سازی ISE-TCAD یک ترانزیستور با کانال نوع P شبیهسازی نموده و با اعمال بایاس به پایه های آن و رسم منحنی مشخصه جریان- ولتاژ این ترانزیستور پرداخته ایم سپس پارامترهای مهم مربوط به هر کدام نواحی سورس، درین، گیت و سطح زیر بدنه را با استفاده از این نرم افزار استخراج نموده و بهبیان رابطه ای ریاضی برای محاسبه مقدار موثر مقاومت بدنه بر حسب متغییرهای پتانسیل بدنه و طول کانال، بیان می گردد. در نهایت با استفاده از نرم افزارMATLABاین مقاومت را محاسبه نموده ایم
بیان رابطه و محاسبه مقاومت بدنه ترانزیستورهای PD SOI MOSFET در ابعاد نانومتر Keywords:
بیان رابطه و محاسبه مقاومت بدنه ترانزیستورهای PD SOI MOSFET در ابعاد نانومتر authors
محمدرضا سلیمانی فارسانی
مربی حقالتدریس دانشگاه فنی و حرفه ای پسران شهرکرد
روح الله اردشیری لردجانی
دانشجوی کارشناسی ارشد،دانشکده برق،دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :