بررسی خواص اپتوالکترونی نانوسیم الماس رشد یافته در جهت صفحهی ( 111 ) با استفاده از نظریهی تابعی چگالی
Publish place: The 13th scientific conference of students of material engineering and metallurgy of Iran
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 498
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
SCMEMI13_197
تاریخ نمایه سازی: 6 بهمن 1395
Abstract:
در این مقاله تاثیرات اندازه و جهتگیری رشد بر خواص اپتوالکترونی نانوسیم الماس اشباع شده، به روش نظریهی تابعی چگالی و حل معادلهی کوهن-شم با در نظر گرفتن تقریب چگالی موضعی LDA بررسی شده است. نانوسیمها از نوع استوانهای بوده و سطح جانبی آنها توسط اتمهایهیدروژن، اشباع شده است. گافهای اپتیکی محاسبه شده بعلت بوجود آمدن ترازهای سطحی از گاف الماس حجیم، کوچکتر است. همچنینمشخص شد گافهای اپتیکی و چگالیحالات الکترونی نانوسیمهای رشد یافته در جهت صفحهی ) 111 ( به دلیل کاهش اثر حبس کوانتومی با افزایش اندازهی مقطع نانوسیم، کاهش مییابند
Keywords:
Authors
سیدمصطفی منوری
دانشجوی کارشناسی ارشد فیزیک ماده چگال،
فرح مرصوصی
استادیار و عضو هیئت علمی دانشگاه صنعتی امیرکبیر،
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :