مدل سازی خازن حاشیه ای گیت در FinFet ها با حضور RSD و Metal Contact در ساختار آن، توسط روش 3 بعدی

Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 692

This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

BPJCEE01_119

تاریخ نمایه سازی: 6 اسفند 1395

Abstract:

در این مقاله، خازن حاشیه ای گیت برای FinFet ها با حضور RSD و Metal Contact در ساختار آن مدل سازی شده است. این مدل سازی توسط روش 3 بعدی به شکل دقیق صورت گرفته است که این روش استفاده شده، توسط شبیه سازی های گسترده COMSOL مورد تایید واقع شده است. دقت مدل نهایی ارائه شده توسط شبیه ساز 3 بعدی Raphael تایید گردیده است. در نهایت، دقت خازن کل حاشیه ای بیرونی محاسبه شده با پیش بینی هایی که به شکل پیش فرض توسط مدل های BSIM-CMG انجام گرفته است، مقایسه شده اند. مدل تحلیلی پیشنهادی این امکان را دارا است که از آن به عنوان یک مدل مختصر و دقیق برای شبیه سازی دقیق مدار استفاده گردد.

Keywords:

ترانزیستورهای اثر میدانی fin , خازن حاشیه ای , مدل تحلیلی , مدل سازی 3 بعدی , BSIM-CMG

Authors

علی بیک محمدی

دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه بوعلی سینا، همدان، ایران