طراحی Level Shifter توان پایین با استفاده از ترانزیستور FinFET چند گیتی

در این مقاله، مدار تبدیل سطح ولتاژ توان پایینی طراحی شده است که قابلیت تبدیل ولتاژهای ورودی کم به ولتاژهای خروجی زیاد را دارد. ساختار مدار تبدیل سطح ولتاژ، شامل یک مدار تصحیح خطای منطقی و یک طبقهLatch است. مدار تصحیح خطای منطقی در زمان انتقال جریان عملیاتی را تنها هنگامی که سطوح منطقی ورودی و خروجی با هم برابر نیستند، تولید می کند و طبقه Latch به دلیل ساختار فیدبک مثبت، سرعت مدار را افزایش می دهد. در مدار طراحی شده از تکنیک Back-Gate فناوری FinFET و آیینه جریان ویلسون بهبود یافته PMOS استفاده شده است تا از مزایای آنها بهره ببریم. نتایج شبیه سازی مدار پیشنهادی توسط نرم افزار HSPICE بیانگر آن است که تاخیر در مدار پیشنهادی 1 نانوثانیه و انرژی مصرفی آن 5 / 1 پیکوژول است. همچنین این مدار توانایی تبدیل ولتاژهای ورودی 10 میلی ولت را دارا است.

Keywords:

مدار تبدیل سطح ولتاژ , مدار تصحیح خطای منطقی , فناوری FinFET , آیینه جریان ویلسون بهبود یافته PMOS , تکنیک Back-Gate